Содержание выпусков


Концептуальная модель предметной области автоматической фрагментации электрокардиосигналов на базе логической схемы алгоритмов



страница27/85
Дата22.06.2019
Размер2.7 Mb.
1   ...   23   24   25   26   27   28   29   30   ...   85

Концептуальная модель предметной области
автоматической фрагментации электрокардиосигналов
на базе логической схемы алгоритмов


Разработана и представлена концептуальная модель предметной области синтеза алгоритмов автоматической фрагментации основных электрофизиологических показателей при анализе электрокардиограмм на основе информации, полученной в этой сфере в течение прошлых десятилетий. Разработанный подход ориентирован на повышение эффективности использования накопленного информационного ресурса (знания) в области автоматической диагностики для дальнейшего совершенствования и развития методов и средств автоматизации медицинской диагностики.

Электрокардиосигнал, предметная область, алгоритм, автоматическая фрагментация,
логическая схема алгоритмов, оператор


E. P. Tikhonov

Saint Petersburg Electrotechnical University «LETI»

A CONCEPTUAL DOMAIN MODEL AUTOMATIC FRAGMENTATION ELECTROCARDIOGRAM
BASED ON LOGICAL SCHEMES OF ALGORITHMS


In the article developed and presented a conceptual model of the domain of synthesis of algorithms of automatic fragmentation of basic electrophysiological indicators by analyzing the electrocardiogram on the basis of information obtained in this field during the in previous decades. The developed approach is focused on improving the efficiency of using the accumulated information resource (knowledge) in the field of automatic diagnostics for further improvement and development of methods and means of automation of medical diagnosis.

Electrocardiogram, subject area, algorithm, automatic fragmentation, logic algorithms, operator

2015 Вып. 7

Физическая электроника и технологии
микро- и наноструктур

С. П. Малюков, Ю. В. Клунникова, Т. Х. Буй



Южный федеральный университет

Моделирование процесса лазерной обработки
структуры пленка–сапфир


Рассмотрена методика исследования процессов лазерной обработки структуры пленка–сапфир с использованием методов численного моделирования, в частности метода конечных элементов. Разработана модель процессов лазерной обработки структуры пленка–сапфир, позволяющая анализировать распределение температуры на поверхности структуры пленка–сапфир при разной скорости сканирования лазерного луча. Моделирование процесса лазерной обработки проводилось с помощью системы ANSYS.

Структура пленка–сапфир, лазерная обработка, численное моделирование

S. P. Malyukov, Yu. V. Klunnikova, T. H. Bui

Southern Federal University


SIMULATION OF LASER PROCESSING OF THE STRUCTURE FILM–SAPPHIRE


The research technique of sapphire laser treatment by use of progressive methods of numerical modeling, in particular finite element method is described in this article. Model of laser treatment of film–sapphire structure was developed. It allows analyzing the temperature distribution on the surface of structure film–sapphire with different laser scanning velocity. ANSYS software was used for simulation of laser treatment process.

Structure film–sapphire, laser treatment, numerical simulation

А. А. Смирнов



Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Измерение динамических параметров
дрейфовых диодов с резким восстановлением


Представлено описание работы быстродействующих размыкателей тока – дрейфовых диодов с резким восстановлением напряжения (ДДРВ). Предлагаемая схема для исследования динамики электронно-дырочной плазмы в ДДРВ позволяет определять амплитудно-временные параметры импульсов, формируемых на нагрузке одиночными диодными структурами и собранных в диодную сборку. Отличается своей простотой и универсальностью по отношению к типам исследуемых ДДРВ.

Дрейфовый диод с резким восстановлением, электронно-дырочная плазма,
наносекундные импульсы напряжения, ток накачки


A. A. Smirnov

Saint Petersburg state electrotechnical university «LETI»


MEASUREMENT OF DYNAMIC PARAMETERS OF DRIFT STEP RECOVERY DIODES


The description of the operation of high-speed current breakers – drift recovery diodes voltage (DSRDs) is presented. The proposed scheme for the study of the dynamics of the electron-hole plasma in DSRDs allows to determine the amplitude and timing of the pulses generated by the load as a single diode structure, and collected diode assembly. Distinguished by its simplicity and flexibility in relation to the types of study DSRDs.

Drift step recovery diode, nanosecond pulses, pump current, electron-hole plasma
К. А. Беспалова, А. О. Белорус

Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Л. В. Шайдаров, А. В. Третьяков



Уральский федеральный университет
им. первого Президента России Б. Н. Ельцина

Исследование влияния технологических параметров
на морфологию поверхности пористого кремния


Рассмотрены свойства пористого кремния применительно к биомедицине, получение порошков пористого кремния методом электрохимического анодного травления, а также влияние технологических параметров этого процесса на морфологию получаемых частиц.

Пористые наноматериалы, пористый кремний, нанопорошки, биомедицина,
электрохимическое травление, локальная доставка лекарств


K. A. Bespalova, A. O. Belorus

Saint Petersburg state electrotechnical university «LETI»



L. V. Shaidarov, A. V. Tretakov

Ural Federal University


INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF ETCH PROCESS UPON THE MORPHOLOGY
OF THE POROUS SILICON PARTICLES


The properties of porous silicon for application in biomedicine are considered. Porous silicon powders were obtained by electrochemical anodic etching. The impact of technological parameters of the etch process upon the morphology of the particles are studied by means of scanning electron microscopy and dynamic light scattering method.

Porous nanomaterials, porous silicon, nanopowders, biomedicine, electrochemical etching, targeted drugs delivery

Информатика и компьютерные технологии

Е. С. Федотов



Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)




Поделитесь с Вашими друзьями:
1   ...   23   24   25   26   27   28   29   30   ...   85


База данных защищена авторским правом ©vossta.ru 2019
обратиться к администрации

    Главная страница