Содержание выпусков


Роль и место системы поддержки принятия решений хирурга экстренной помощи в биотехнической системе лечения пострадавших с тяжелыми повреждениями печени



страница19/85
Дата22.06.2019
Размер2.7 Mb.
1   ...   15   16   17   18   19   20   21   22   ...   85

Роль и место системы поддержки принятия
решений хирурга экстренной помощи
в биотехнической системе лечения пострадавших
с тяжелыми повреждениями печени


Представлена разработанная биотехническая система лечения пострадавших с тяжелыми повреждениями печени. Определены роль и место системы поддержки принятия решений хирурга экстренной помощи в данной биотехнической системе. Описаны этапы процесса принятия решений в системе поддержки принятия решений хирурга, которые вносят наибольший вклад в обеспечение эффективности лечения пострадавших с тяжелыми повреждениями печени.

Система поддержки принятия решений, хирург, биотехническая система,
этапы процесса принятия решений


E. A. Semenova
Saint Petersburg Electrotechnical University «LETI»

THE ROLE AND THE PLACE OF SURGEON EMERGENCY DESION SUPPORT SYSTEM
IN THE BIOENGINEERING SYSTEM OF SEVERE LIVER DAMAGE MANAGEMENT


Presents the developed bioengineering system of management of patients with severe liver damage. The role and the place of decision support system for an emergency surgeon are defined. The stages of the decision-making process that contribute most in effectiveness ensure of treatment of patients with severe liver damage are described.

Decision support system, surgeon, bioengineering system, the stages of the decision-making process

2015 Вып. 9

Физическая электроника
и технологии микро- и наноструктур

А. В. Кукин


Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Е. Е. Терукова


ФТИ им. А. Ф. Иоффе

А. В. Семенов, Д. А. Андроников


ООО «НТЦ ТПТ» (Санкт-Петербург)

Особенности роста слоев нестехиометрического
оксида кремния с нанокристаллами, получаемых
методом плазмохимического осаждения


Рассказывается об особенностях роста нестехиометрического оксида кремния, содержащего нанокристаллы (nc-SiO: H), получаемого методом плазмохимического осаждения, в сравнении с механизмами роста слоев аморфного кремния, содержащего нанокристаллы кремния (nc-Si : H). Показано влияние давления в процессной камере и мощности разряда плазмы на свойства получаемых пленок nc-SiOx : H. Предложен механизм формирования слоев, отличительной особенностью которого является вытравливание нанокристаллов кремния водородной плазмой в процессе формирования слоя.

Нанокристаллы кремния, солнечная энергетика, тонкие пленки,
плазмохимическое осаждение


A. V. Kukin
Saint Petersburg Electrotechnical University «LETI»


E. E. Terukova
Ioffe Institute


A. B. Semenov, D. A. Andronikov
R&D Center TFTE LLC (Saint Petersburg)

A LAYER GROWTH MECHANISMS FOR NON-STOICHIOMETRIC SILICON OXIDE
WITH NANOCRYSTALS, PRODUCED BY PECVD


The paper describes the growth ofnon-stoichiometric silicon oxide containing nanocrystals (nc-SiO: H) produced by PECVD compared to the growth mechanisms of amorphous silicon containing nanocrystals (nc-Si : H) The influence of process chamber pressure and of plasma's discharge power on the properties of the resulting nc-SiO: H filmshas been demonstrated. The main peculiarity of layer formation's mechanism is t etching of silicon nanocrystals by hydrogen's plasma in the process layer deposition.

Silicon Nanocrystals, solar energy, thin film, PECVD
С. П. Малюков, Ю. В. Клунникова, А. В. Саенко
Южный федеральный университет

Лазерное управляемое термораскалывание сапфира


Проведены экспериментальные исследования лазерного управляемого термораскалывания сапфира на установке LIMO 100-532/1064-U. Обработка осуществлялась с помощью твердотельного Nd:YAG-лазера с длиной волны 1064 нм. Проведен расчет распределения температур в процессе лазерного воздействия на структуру графит–сапфир–графит численным моделированием нестационарных дифференциальных уравнений теплопроводности. Результаты моделирования позволили исследовать обработку образца при различном нагреве лазерным излучением. Установлено, что при средней мощности лазерного излучения 80…90 Вт температура на поверхности составляет порядка 600…700 К, что достаточно для термораскалывания сапфира.

Лазерная обработка, термораскалывание, сапфир

S. P. Malyukov, Yu. V. Klunnikova, A. V. Sayenko
Southern Federal University

LASER OPERATED SAPPHIRE THERMOSPLITTING


The research of the sapphire laser operated thermosplitting on the LIMO 100-532/1064-U equipment is conducted. Processing was carried out with the use of solid-state Nd:YAG laser with the wavelength of 1064 nm. Calculation of temperatures distribution during laser impact on structure graphite–sapphire–graphite is carried out by numerical simulation of the non-stationary differential equations of heat conductivity. Results of simulation allowed to investigate samples processing at various heating by laser radiation. It is established that at the average power of the laser radiation 80…90 W temperature on a surface is about 600…700 K and it is enough for sapphire thermosplitting.

Laser processing, thermosplitting, sapphire

Информатика и компьютерные технологии

А. И. Ларистов, Ю. Т. Лячек, Мусаид Абдулфаттах Мохаммед Обади



Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Организация топологической САПР
на основе корпоративного облака


Приведена классификация видов облачных платформ, перспективных для использования в САПР, выявлены основные требования к сервисам гипервизоров, предложен вариант построения облачной версии топологического трассировщика «TopoR» на основе сервера VMware ESX Server.

Топологические САПР, облачные вычисления, сервер VMware ESX Server

А. I. Laristov, Yu. T. Lyachek, Musaeed Abdulfattah Mohammed Obadi
Saint Petersburg Electrotechnical University «LETI»




Поделитесь с Вашими друзьями:
1   ...   15   16   17   18   19   20   21   22   ...   85


База данных защищена авторским правом ©vossta.ru 2019
обратиться к администрации

    Главная страница